IMECH-IR  > 力学所知识产出(1956-2008)
氧等离子体硫化法制作可变形聚二甲基硅氧烷薄膜培养基底
其他题名Oxygen Plasma-vulcanized Deformable Polydimethylsiloxane Sheet Culture Substrates
张毅奕; 陶祖莱
发表期刊生物医学工程学杂志
2003
卷号20期号:2页码:328-331
ISSN1001-5515
摘要发展了氧等离子体硫化法制作可变形聚二甲基硅氧烷薄膜培养基底的技术。与传统的加热硫化法相比,该法制作的基底表面具有亲水性,细胞的粘附、铺展以及基底皱褶变形的发展均非常迅速。此外,观察了细胞松弛素D处理过程中基底皱褶的变化,结果表明这种技术具有较高的时间分辨率。
学科领域力学
收录类别CSCD
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文献类型期刊论文
条目标识符http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/16132
专题力学所知识产出(1956-2008)
推荐引用方式
GB/T 7714
张毅奕,陶祖莱. 氧等离子体硫化法制作可变形聚二甲基硅氧烷薄膜培养基底[J]. 生物医学工程学杂志,2003,20,2,:328-331.
APA 张毅奕,&陶祖莱.(2003).氧等离子体硫化法制作可变形聚二甲基硅氧烷薄膜培养基底.生物医学工程学杂志,20(2),328-331.
MLA 张毅奕,et al."氧等离子体硫化法制作可变形聚二甲基硅氧烷薄膜培养基底".生物医学工程学杂志 20.2(2003):328-331.
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