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真空辐射加热基片的温度分布 | |
其他题名 | THE TEMPERATURE DISTRIBUTION IN A SUBSTRATE RADIATIVELY HEATED IN VACUUM |
李帅辉; 舒勇华; 唐锦荣; 樊菁 | |
发表期刊 | 力学与实践 |
2006 | |
卷号 | 28期号:3页码:19-23 |
ISSN | 1000-0879 |
摘要 | 真空辐射加热下基片表面温度分布的均匀性是薄膜制备中的关键问题之一。采用数值计算和比色红外测温两种方法,研究了作者自行研制的真空辐射加热器(IMCAS-VRH)的性能。利用IMCAS-VRH加热直径6in的单晶硅基片,当电功率为3860W时,基片表面平均温度为1093K,整个基片上的温度变化的测量值约为6 K。基片表面温度分布的计算结果与测量数据符合得很好,进一步的计算分析表明钼丝对辐射的遮挡效应、隔热屏和基片热传导等对基片温度分布均匀性有重要影响。 |
关键词 | 薄膜气相沉积 真空辐射加热 基片温度分布 |
学科领域 | 力学 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
CSCD记录号 | CSCD:2445509 |
引用统计 | |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/17117 |
专题 | 力学所知识产出(1956-2008) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李帅辉,舒勇华,唐锦荣,等. 真空辐射加热基片的温度分布[J]. 力学与实践,2006,28,3,:19-23. |
APA | 李帅辉,舒勇华,唐锦荣,&樊菁.(2006).真空辐射加热基片的温度分布.力学与实践,28(3),19-23. |
MLA | 李帅辉,et al."真空辐射加热基片的温度分布".力学与实践 28.3(2006):19-23. |
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