IMECH-IR  > 力学所知识产出(1956-2008)
微/纳米氧化锌(ZnO)的生长、性质及其应用研究
何发泉
导师赵亚溥
2008
学位授予单位中国科学院研究生院
学位授予地点北京
学位类别博士
学位专业固体力学
摘要纳米氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙半导体材料,室温下其禁带隙宽为本3.37 eV,激子束缚能为60 meV。纳米ZnO有明显的尺寸效应、表面和界面效应等,物理化学性能优越。在压电材料、铁电材料、平面显示、表面声波、传感器、场发射器件、激光、光催化等方面有着广泛的用途。近年来,对纳米ZnO材料的研究成为国内外的一个热点。 本论文研究了用化学气相沉积(CVD)法制备微/纳米ZnO材料。通过控制实验条件,合成了多种特殊结构和形貌的微/纳米ZnO材料,并用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率透射电镜(HR-TEM)、X-射线衍射仪(XRD)、Raman光谱和光致发光(PL)等对材料的结构和光学性能进行了表征。采用CVD法,在温度为630 °C,氧气流量为15 sccm,氩气流量为300 sccm的条件下,制备了一种纳米带冠四足状ZnO(T-ZnO)。此结构ZnO材料的每根足顶端均有一规则的六方帽形结构,具有很大的比表面积。实验结果表明:合成的ZnO材料为纤维锌矿结构单晶,并且沿着(0001)方向生长;室温下的PL谱有两个激发峰,一个是在393 nm处相对较弱的近带紫外峰,另一个是在511 nm处强峰。而材料在600 °C下氧气中退火30 min后,511 nm附近的绿光激发辐射峰则基本消失了,这说明在511 nm处的绿光激发辐射峰可能是由于氧空位引起的。此外,通过改变实验条件,还得到了其他多种结构的微/纳米ZnO材料。 通过大量实验,找到了一种在低温下合成微/纳米ZnO材料的新方法,即水蒸气氧化法。用ZnI2作为锌源,水蒸气作为氧化剂,实验温度在300~500 °C范围内,大大低于通常CVD法的500~1500 °C。采用此法,用硅做基底,得到了一系列有趣的实验结果,大多数情况下ZnO纳米晶自组装成很规则的圆。而在瓷舟中收集到的纳米ZnO跟普通CVD法结果相似,可以得到锥状、棒状等结构的纳米晶,但其生长方式与硅基底上的有很大差别。此外,用水蒸气氧化法,还实现了ZnO纳米晶在碳纳米管(CNTs)上的直接生长,而且其PL性能增强,这可能是纳米ZnO和CNTs相互耦合的结果。在700 °C温度下,以锌粉和ZnI2作为锌源,用水蒸气作为氧化剂,在硅基底的正反面分别得到了纳米棒和纳米推子阵列。此外,还对水蒸气氧化法的化学反应机理进行了分析,实验结果证明:固态ZnI2在受热和一定真空度下先蒸发成ZnI2分子,ZnI2分子遇到水蒸气发生反应生成偶极ZnO分子,这些ZnO偶极分子在硅基底上通过静电力自组装成特殊的几何形状。 此外,还通过分子动力学模拟的方法,对材料的力学性能进行了研究,得到了ZnO的弹性常数和体弹性模量,模拟值跟其他研究人员的实验和模拟结果吻合得很好,并估出算了ZnO晶体的表面能和断裂韧性。 本论文还对制备材料的光催化性能进行了系统的研究,采用CVD法制备ZnO,对铬黑T(EBT)进行光催化降解实验。通过正交实验方法,得到了ZnO催化降解EBT的最佳工艺条件,即催化剂用量为5 g/L,光照强度为120 W,反应温度为20 °C,反应时间为120 min,EBT浓度为10 mg/L,溶液pH值为4。 在最佳实验条件下,20分钟内有95%的EBT被降解完,30分钟内则全部降解。因此,ZnO在EBT的降解中催化效率很高,在废水处理中具有潜在的应用前景。
索取号30504
语种中文
文献类型学位论文
条目标识符http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/23126
专题力学所知识产出(1956-2008)
推荐引用方式
GB/T 7714
何发泉. 微/纳米氧化锌(ZnO)的生长、性质及其应用研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2008.
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