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泰氟龙烧蚀对黏性激波层电子密度的影响 | |
Alternative Title | The effect of teflon ablation on the electron density in viscous shock layer |
唐锦荣; 彭世镠 | |
Source Publication | 力学学报 |
2002-11-19 | |
Volume | 34Issue:6Pages:874-880 |
Abstract | 采用黏性激波层基本方程组对有无泰氟龙烧蚀两种情况下的钝锥体化学非平衡绕流作了数值求解,以研究泰氟龙烧蚀对流场电子密度的影响规律。算例结果表明:泰氟龙烧蚀确有降低流场电子密度的效应。平衡催化壁工况下这种效应的强度,显著大于非催化壁工况下的强度;远下游截面处的这种效应的强度,显著大于驻点区的强度。此外,通过计算结果分析,对形成上述影响规律的原因作了初步讨论。 |
Keyword | 泰氟龙烧蚀 黏性激波层 电子密度 非催化壁 平衡催化壁 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1013605 |
Citation statistics |
Cited Times:1[CSCD]
[CSCD Record]
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Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/41128 |
Collection | 力学所知识产出(1956-2008) |
Corresponding Author | 唐锦荣 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 唐锦荣,彭世镠. 泰氟龙烧蚀对黏性激波层电子密度的影响[J]. 力学学报,2002,34,6,:874-880. |
APA | 唐锦荣,&彭世镠.(2002).泰氟龙烧蚀对黏性激波层电子密度的影响.力学学报,34(6),874-880. |
MLA | 唐锦荣,et al."泰氟龙烧蚀对黏性激波层电子密度的影响".力学学报 34.6(2002):874-880. |
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