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| 低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究 | |
宋书林; 陈诺夫 ; 周剑平; 尹志岗; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯
| |
| 发表期刊 | 半导体学报
 |
| 2004-12-08 | |
| 卷号 | 25期号:12页码:1658-1661 |
| 摘要 | 对室温条件下用低能离子束沉积得到的 Ga As∶ Gd样品 ,借助 X射线衍射 (XRD)和高分辨 X射线衍射 (HR-XRD)进行了结构分析 ,结果表明没有出现新的衍射峰 ,并且摇摆曲线的形状与 Gd的注入计量密切相关 .运用 X光电子能谱仪对比分析了 Gd注入后 ,衬底中主要元素 Ga2 p和 As3d的化学位移 ,以及不同计量的样品中注入的Gd4 d芯能级束缚能的变化 ,并分析了铁磁性产生的可能原因 . |
| 关键词 | Gaas∶gd X射线衍射 X光电子能谱 |
| 语种 | 中文 |
| 项目资助者 | 国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1) |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/41718 |
| 专题 | 力学所知识产出(1956-2008) |
| 通讯作者 | 宋书林 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋书林,陈诺夫,周剑平,等. 低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究[J]. 半导体学报,2004,25,12,:1658-1661. |
| APA | 宋书林.,陈诺夫.,周剑平.,尹志岗.,李艳丽.,...&刘志凯.(2004).低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究.半导体学报,25(12),1658-1661. |
| MLA | 宋书林,et al."低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究".半导体学报 25.12(2004):1658-1661. |
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