IMECH-IR  > 力学所知识产出(1956-2008)
低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜
宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯
Source Publication固体电子学研究与进展
2004-06-30
Volume24Issue:2Pages:258-261
Abstract室温条件下 ,用离子束外延设备制备 ( Ga,Gd,As)样品 ,X射线衍射 ( XRD)结果表明除了 Ga As衬底峰 ,没有发现其他新相的衍射峰。俄歇电子能谱 ( AES)分析了样品中元素随深度的变化 ,不同样品中元素的分布有着不同的特点。并运用原子力显微镜 ( AFM)研究了样品表面的形貌特点 ,表明样品表面的粗糙度与 Gd注入过程中在样品表面沉积的多少有关。运用交变梯度磁强计 ( AGM)对薄膜进行磁性分析 ,结果表明有的样品在室温条件下出现铁磁性 ,但金属钆本身具有室温铁磁性 ,因而需要进一步分析。
Keyword镓、钆、砷薄膜 低能离子束系统 砷化镓衬底
Language中文
Funding Organization国家自然科学基金 60 1760 0 1
Document Type期刊论文
Identifierhttp://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/41850
Collection力学所知识产出(1956-2008)
Corresponding Author宋书林
Recommended Citation
GB/T 7714
宋书林,陈诺夫,周剑平,等. 低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜[J]. 固体电子学研究与进展,2004,24(2):258-261.
APA 宋书林,陈诺夫,周剑平,李艳丽,杨少延,&刘志凯.(2004).低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜.固体电子学研究与进展,24(2),258-261.
MLA 宋书林,et al."低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜".固体电子学研究与进展 24.2(2004):258-261.
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