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| 铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长 | |
彭长涛; 陈诺夫 ; 张富强; 林兰英
| |
| 发表期刊 | 半导体学报
 |
| 2003-05-08 | |
| 卷号 | 24期号:5页码:494-498 |
| 摘要 | 采用一种新的生长铁磁 /半导体异质结材料的方法——物理气相沉积方法生长了一种铁磁 /半导体异质结材料 Mn Sb/Si.对所获得的样品进行特征 X射线能谱分析表明 Mn和 Sb在 Si衬底上的沉积速率相近 ,它们的原子百分数之比接近 1∶ 1.X射线衍射分析发现薄膜中形成了 Mn Sb相 ,样品在室温下测出磁滞回线也从侧面验证了存在 Mn Sb相 .用原子力显微镜对样品的表面进行观察 ,发现 Mn Sb呈有规则形状的小晶粒状 ,晶粒大小比较均匀 ,尺寸大多数在 5 0 0 nm左右 . |
| 关键词 | 铁磁/半导体异质结 物理气相沉积 Mnsb |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/42108 |
| 专题 | 力学所知识产出(1956-2008) |
| 通讯作者 | 彭长涛 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭长涛,陈诺夫,张富强,等. 铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长[J]. 半导体学报,2003,24,5,:494-498. |
| APA | 彭长涛,陈诺夫,张富强,&林兰英.(2003).铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长.半导体学报,24(5),494-498. |
| MLA | 彭长涛,et al."铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长".半导体学报 24.5(2003):494-498. |
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