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| 低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体 | |
刘力锋 ; 陈诺夫; 张富强; 陈晨龙; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯
| |
| 发表期刊 | 半导体学报
 |
| 2004-08-08 | |
| 卷号 | 25期号:8页码:967-971 |
| 摘要 | 利用质量分离的低能离子束方法 ,以离子能量为 1 0 0 0 e V,剂量为 3× 1 0 1 7cm- 2 ,室温下往 p型 Si(1 1 1 )单晶衬底注入 Fe离子 ,注入的样品在 4 0 0℃真空下进行热处理 .俄歇电子能谱法 (AES)对原位注入样品深度分析表明 Fe离子浅注入到 p型 Si单晶衬底 ,注入深度约为 4 2 nm.X射线衍射法 (XRD)对热处理样品结构分析发现只有 Si衬底的衍射峰 ,没有其他新相 .X射线光电子能谱法 (XPS)对热处理样品表面分析发现 Fe2 p束缚能对应于单质 Fe的峰 ,没有形成 Fe的硅化物 .这些结果表明重掺杂 Fe的 Si∶ Fe固溶体被制备 .电化学 C- V法测量了热处理后样品载流子浓度随深度的分布 ,发现 Fe重掺杂 Si致使 Si的导电类型从 p型转为 n型 ,Si∶ Fe固溶体和 Si衬底形成 pn结 ,具有整流特性 |
| 关键词 | 硅 铁 低能离子束 重掺杂 |
| 语种 | 中文 |
| 项目资助者 | 国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1和 60 3 90 0 72 ) |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/42362 |
| 专题 | 力学所知识产出(1956-2008) |
| 通讯作者 | 刘力锋 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘力锋,陈诺夫,张富强,等. 低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体[J]. 半导体学报,2004,25,8,:967-971. |
| APA | 刘力锋.,陈诺夫.,张富强.,陈晨龙.,李艳丽.,...&刘志凯.(2004).低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体.半导体学报,25(8),967-971. |
| MLA | 刘力锋,et al."低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体".半导体学报 25.8(2004):967-971. |
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