Knowledge Management System of Institue of Mechanics, CAS
| 离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜 | |
李艳丽; 陈诺夫 ; 周剑平; 宋书林; 杨少延; 刘志凯
| |
| 发表期刊 | 半导体学报
 |
| 2004-08-08 | |
| 卷号 | 25期号:8页码:972-975 |
| 摘要 | 采用离子束淀积方法制备了单相 Gd Si2 薄膜 .用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析 ,用 X射线衍射方法分析了样品的结构 ,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌 .X射线衍射分析发现在 4 0 0℃沉积的样品中仅存在正交的 Gd Si2 相 .样品在氩气氛中 35 0℃ ,30 m in退火处理后 ,Gd Si2 相衍射峰的半高宽变窄 ,说明经过退火处理 ,Gd Si2 的晶体质量变得更好 |
| 关键词 | 离子束淀积 X射线衍射 Gdsi |
| 语种 | 中文 |
| 项目资助者 | 国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1) |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/42372 |
| 专题 | 力学所知识产出(1956-2008) |
| 通讯作者 | 李艳丽 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李艳丽,陈诺夫,周剑平,等. 离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜[J]. 半导体学报,2004,25,8,:972-975. |
| APA | 李艳丽,陈诺夫,周剑平,宋书林,杨少延,&刘志凯.(2004).离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜.半导体学报,25(8),972-975. |
| MLA | 李艳丽,et al."离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜".半导体学报 25.8(2004):972-975. |
| 条目包含的文件 | 下载所有文件 | |||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 1190.pdf（317KB） | 开放获取 | -- | 浏览 下载 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| Lanfanshu学术 |
| Lanfanshu学术中相似的文章 |
| [李艳丽]的文章 |
| [陈诺夫]的文章 |
| [周剑平]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [李艳丽]的文章 |
| [陈诺夫]的文章 |
| [周剑平]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [李艳丽]的文章 |
| [陈诺夫]的文章 |
| [周剑平]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论