| 氨热法生长氮化镓晶体的数值模拟 |
| 其他题名 | NUMERICAL SIMULATION IN AMMONOTHERMAL GROWTH OF SINGLE CRYSTALS OF GaN
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| 姜燕妮; 陈启生
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| 发表期刊 | 工程热物理学报
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| 2010-08-15
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| 卷号 | 31期号:8页码:1392-1394 |
| ISSN | 0253-231X
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| 摘要 | 氮化镓晶体是继单晶硅之后的一种新型的半导体材料. 本文利用有限体积法模拟了氨热法生长氮化镓晶体中流场的瞬态特性, 研究了隔板开孔10％时流场结构、温度场、浓度场. 发现对于隔板开孔率(10％)的情形, 中心开孔及边缘间隙的平均速度表现为振荡的特性, 中心开孔速度大多是正的, 边缘开孔大多是负的. 大的温度梯度发生在在高压釜壁面与液体的交界处与隔板周围. 物质由多孔介质区向生长区输运 |
| 关键词 | 氨热法
氮化镓
开孔率
流场
平均流速
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| URL | 查看原文
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| 收录类别 | EI
; CSCD
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| 语种 | 中文
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| 项目资助者 | 国家自然科学基金资助项目(No.50776098)
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| CSCD记录号 | CSCD:3906979
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| RpAuthor | 中国科学院力学研究所
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| 引用统计 |
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/44048
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| 专题 | 微重力重点实验室
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| 通讯作者 | 姜燕妮 |
推荐引用方式
GB/T 7714 |
姜燕妮,陈启生. 氨热法生长氮化镓晶体的数值模拟[J]. 工程热物理学报,2010,31,8,:1392-1394.
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| APA |
姜燕妮,&陈启生.(2010).氨热法生长氮化镓晶体的数值模拟.工程热物理学报,31(8),1392-1394.
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| MLA |
姜燕妮,et al."氨热法生长氮化镓晶体的数值模拟".工程热物理学报 31.8(2010):1392-1394.
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文件名：
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