IMECH-IR  > 国家微重力实验室
氨热法生长氮化镓晶体的数值模拟
Alternative TitleNUMERICAL SIMULATION IN AMMONOTHERMAL GROWTH OF SINGLE CRYSTALS OF GaN
姜燕妮; 陈启生
Source Publication工程热物理学报
2010-08-15
Volume31Issue:8Pages:1392-1394
ISSN0253-231X
Abstract氮化镓晶体是继单晶硅之后的一种新型的半导体材料. 本文利用有限体积法模拟了氨热法生长氮化镓晶体中流场的瞬态特性, 研究了隔板开孔10%时流场结构、温度场、浓度场. 发现对于隔板开孔率(10%)的情形, 中心开孔及边缘间隙的平均速度表现为振荡的特性, 中心开孔速度大多是正的, 边缘开孔大多是负的. 大的温度梯度发生在在高压釜壁面与液体的交界处与隔板周围. 物质由多孔介质区向生长区输运
Keyword氨热法 氮化镓 开孔率 流场 平均流速
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Indexed ByEI ; CSCD
Language中文
Funding Organization国家自然科学基金资助项目(No.50776098)
CSCD IDCSCD:3906979
Contributor中国科学院力学研究所
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/44048
Collection国家微重力实验室
Corresponding Author姜燕妮
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GB/T 7714
姜燕妮,陈启生. 氨热法生长氮化镓晶体的数值模拟[J]. 工程热物理学报,2010,31(8):1392-1394.
APA 姜燕妮,&陈启生.(2010).氨热法生长氮化镓晶体的数值模拟.工程热物理学报,31(8),1392-1394.
MLA 姜燕妮,et al."氨热法生长氮化镓晶体的数值模拟".工程热物理学报 31.8(2010):1392-1394.
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