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	SiC晶体生长中流场的优化设计
其他题名	OPTIMIZATION OF THE FLOW FIELD IN SIC CRYSTAL GROWTH
	颜君毅; 陈启生; 姜燕妮; 李炜
发表期刊	工程热物理学报
	2011-02-15
卷号	32期号:2页码:308-311
ISSN	0253-231X
摘要	物理气相输运法(PVT)是实验室最为常见的碳化硅(SiC)大块单晶生长方法. 本文在碳化硅晶体生长模型化研究中, 针对碳化硅单晶PVT生长过程中的传热传质等现象引入了对流传热中的场协同原理, 利用这一原理对生长室内的流场温度场进行了优化, 并对改良前后分别进行了数值模拟, 研究了该原理对晶体生长的影响. 实验室碳化硅单晶的生长成功率从优化设计前的30％提高到90％
其他摘要	SiC crystal is usually got by physical vapor transport(PVT) method in the lab.In this paper,a field-coordination theory was involved to optimize the SiC PVT growth system.We changed the parameters in the graphite crucible and calculated the flow field as well as species concentration field before and after optimization,using a finite volume-based software package developed by ourselves.We improved the design by analyzing the numerical results and the success ratio of SiC PVT experiment had increased from 30%to 90%.
关键词	碳化硅晶体 Pvt法 场协同 浓度场 流场
学科领域	力学
URL	查看原文
收录类别	EI ; CSCD
语种	中文
项目资助者	国家自然科学基金资助项目(No.50890182)
CSCD记录号	CSCD:4125206
课题组名称	NML流动稳定性与复杂流动
引用统计
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/45114
专题	微重力重点实验室
通讯作者	颜君毅
推荐引用方式 GB/T 7714	颜君毅,陈启生,姜燕妮,等. SiC晶体生长中流场的优化设计[J]. 工程热物理学报,2011,32,2,:308-311.
APA	颜君毅,陈启生,姜燕妮,&李炜.(2011).SiC晶体生长中流场的优化设计.工程热物理学报,32(2),308-311.
MLA	颜君毅,et al."SiC晶体生长中流场的优化设计".工程热物理学报 32.2(2011):308-311.

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