IMECH-IR  > 国家微重力实验室
纳米图形蓝宝石衬底上MOCVD外延生长AlN
董鹏; 闫建昌; 吴奎; 曾建平; 丛培沛; 孙莉莉; 蓝鼎; 王军喜; 李晋闽
Source Publication第十二届全国MOCVD学术会议论文集
2012
Pages6-6
Conference Name第十二届全国MOCVD学术会议
Conference Date2012-04-11
Conference Place中国福建厦门
AbstractAlGaN基的深紫外LED在消毒杀菌、生物医学、保密通信、紫外固化等领域具有广泛的应用前景。高质量、低位错密度的AlN模板是实现深紫外LED高效率发光的重要基础。为了降低A1N模板的位错密度,有研究组在微米级(2~5μm)的沟槽型蓝宝石衬底上MOCVD外延A1N模板的技术,通过A1N材料的侧向外延,有效的降低了穿透位错密度。但是由于Al原子的表面粘附性大,迁移率低,侧向合并困难,对于微米级图形需要生长较厚的A1N(10~20μm)才能完全合并,导致外延时间代价较大。采
KeywordMocvd 蓝宝石衬底 Aln 纳米图形 外延生长 侧向外延 外延层 Ain 纳米级 发光的 微米级 摇摆曲线 形貌 深紫外 原子的 迁移率 位错密度 自组装 紫外固化 反应室
DepartmentNML空间材料物理力学
Language中文
Document Type会议论文
Identifierhttp://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/48359
Collection国家微重力实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
董鹏,闫建昌,吴奎,等. 纳米图形蓝宝石衬底上MOCVD外延生长AlN[C],2012:6-6.
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