| 纳米图形蓝宝石衬底上MOCVD外延生长AlN |
| 董鹏; 闫建昌; 吴奎; 曾建平; 丛培沛; 孙莉莉; 蓝鼎 ; 王军喜; 李晋闽
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| 会议录名称 | 第十二届全国MOCVD学术会议论文集
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| 2012
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| 页码 | 6-6
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| 会议名称 | 第十二届全国MOCVD学术会议
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| 会议日期 | 2012-04-11
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| 会议地点 | 中国福建厦门
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| 摘要 | AlGaN基的深紫外LED在消毒杀菌、生物医学、保密通信、紫外固化等领域具有广泛的应用前景。高质量、低位错密度的AlN模板是实现深紫外LED高效率发光的重要基础。为了降低A1N模板的位错密度,有研究组在微米级(2～5μm)的沟槽型蓝宝石衬底上MOCVD外延A1N模板的技术,通过A1N材料的侧向外延,有效的降低了穿透位错密度。但是由于Al原子的表面粘附性大,迁移率低,侧向合并困难,对于微米级图形需要生长较厚的A1N(10～20μm)才能完全合并,导致外延时间代价较大。采 |
| 关键词 | Mocvd
蓝宝石衬底
Aln
纳米图形
外延生长
侧向外延
外延层
Ain
纳米级
发光的
微米级
摇摆曲线
形貌
深紫外
原子的
迁移率
位错密度
自组装
紫外固化
反应室
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| 课题组名称 | NML空间材料物理力学
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| 语种 | 中文
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| 文献类型 | 会议论文
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| 条目标识符 | http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/48359
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| 专题 | 微重力重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
董鹏,闫建昌,吴奎,等. 纳米图形蓝宝石衬底上MOCVD外延生长AlN[C]第十二届全国MOCVD学术会议论文集,2012:6-6.
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文件名：
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IrCA162.pdf
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格式：
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Adobe PDF
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