IMECH-IR  > 高温气体动力学国家重点实验室
单晶硅基底上铜薄膜沉积生长的分子动力学模拟
张俊; 刘崇; 王连红; 舒勇华; 樊菁
Source Publication第十二届全国物理力学学术会议论文摘要集
2012
Pages24-24
Conference Name第十二届全国物理力学学术会议
Conference Date2012-11-12
Conference Place中国广西桂林
Abstract由于铜有较好的导电性和较高的抗电迁移能力,铜已逐步代替铝在超大规模集成电路中作为连接线使用。另一方面,铜/硅界面有着较好的欧姆接触,因此广泛应用于微机电系统。近年来已有一些单晶硅基底上铜薄膜外延生长的实验研究,包括电子束沉积,磁控溅射,分子束外延等方法。由于受实验条件的限制,这些研究还不是很系统。本文采用分子动力学方法模拟单晶硅基底上铜薄膜的沉积生长,同实验相比,分子模拟可以从细节上分析沉积薄膜的形貌和生长机制。本文中我们主要关注铜薄膜的生长模式、生长取向、表面形貌以及铜/硅界面的扩散特性等。我们的结果表明薄膜的生长取向与硅基底表面密切相关:在(001)表面的硅基底上低温时沿方向生长...
Keyword薄膜 外延生长 晶体结构与晶向 分子动力学
DepartmentLHD微尺度和非平衡流动
Language中文
Document Type会议论文
Identifierhttp://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/48520
Collection高温气体动力学国家重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
张俊,刘崇,王连红,等. 单晶硅基底上铜薄膜沉积生长的分子动力学模拟[C]第十二届全国物理力学学术会议论文摘要集,2012:24-24.
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