| 一种类金刚石薄膜的制备方法 |
| 夏原 ; 许亿; 李光
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| 2021-01-05
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| 专利权人 | 中国科学院力学研究所
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| 摘要 | 本发明实施例涉及薄膜制备技术领域，本发明实施例公开了一种类金刚石薄膜的制备方法，包括：将薄膜载体置于真空环境并通入Ar；外加偏压电源进行辉光清洗；更换Ne惰性气体作为工作气体，并给碳靶提供靶材电压；外加复合直流HiPIMS电源给薄膜载体提供负偏压；调整完成HiPIMS电源与复合直流HiPIMS电源的波形匹配，并依据预定薄膜沉积时间完成薄膜沉积，获得目标产物类金刚石薄膜。本发明采用复合直流HiPIMS作为偏压，并与高功率脉冲磁控溅射电源匹配，实现对HiPIMS电源在脉冲期间和脉冲结束后等离子体能量的单独调控与优化，进而在不破坏sp3键前提下诱导内应力的释放，解决目前尚无在保证高sp3键含量的同时又可降低DLC薄膜内应力的问题。 |
| 申请日期 | 2021-04-21
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| 授权日期 | 2021-01-05
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| 专利号 | ZL202010317118.2
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| 语种 | 中文
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| 授权国家 | 中国
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| 代理机构 | 北京和信华成知识产权代理事务所
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/87646
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| 专题 | 先进制造工艺力学实验室
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| 作者单位 | 中国科学院力学研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
夏原,许亿,李光. 一种类金刚石薄膜的制备方法. ZL202010317118.2[P]. 2021-01-05.
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文件名：
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000000_20200707_0A_CN_0.pdf
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格式：
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Adobe PDF
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