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Modeling on ammonothermal growth of GaN semiconductor crystals 期刊论文
PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MATERIALS, 2012, 卷号: 58, 期号: 2-3, 页码: 61-73
作者:  Chen QS(陈启生);  Yan JY(颜君毅);  Jiang YN(姜燕妮);  Li W(李炜);  Chen, QS;  Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100190, Peoples R China.
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Gan Crystal  Baffle Opening  Ammonothermal Growth  Mass Transfer  Gallium Nitride  Supercritical Ammonia  Single-crystals  Transport  Seed  
碳化硅晶体生长过程的多场模拟及优化研究 学位论文
博士论文，北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  颜君毅
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热声制冷中的交变可压缩流动数值模拟研究 学位论文
博士论文，北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  李炜
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氨热法生长氮化镓晶体的数值模拟 学位论文
博士论文，北京: 中国科学院力学研究所, 2011
作者:  姜燕妮
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Numerical simulation of ammonothermal growth processes of GaN crystals 会议论文
16th International Conference on Crystal Growth (ICCG16)/14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE14), Beijing, PEOPLES R CHINA, AUG 08-13, 2010
作者:  Jiang YN(姜燕妮);  Chen QS(陈启生);  Prasad V;  Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100190, Peoples R China
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Convection  Fluid Flow  Growth Models  Ammonothermal Growth  Gan  
Modeling of ammonothermal growth processes of GaN crystal in large-size pressure systems 会议论文
2nd International Solvothermal and Hydrothermal-Association Conference (ISHA 2010), Beijing, PEOPLES R CHINA, JUL 27-29, 2010
作者:  Chen QS(陈启生);  Jiang YN(姜燕妮);  Yan JY(颜君毅);  Li W(李炜);  Prasad V;  Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100190, Peoples R China
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Gan  Ammonothermal Growth  Baffle Opening  Fluid Flow  Thermal Fields  
Modeling of ammonothermal growth processes of GaN crystal in large-size pressure systems 期刊论文
Research on Chemical Intermediates, 2011, 卷号: 37, 期号: 2-5, 页码: 467-477
作者:  Chen QS(陈启生);  Jiang YN(姜燕妮);  Yan JY(颜君毅);  Li W(李炜);  Prasad V;  Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100190, Peoples R China
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Gan  Ammonothermal Growth  Baffle Opening  Fluid Flow  Thermal Fields  Gallium Nitride  
Numerical simulation of ammonothermal growth processes of GaN crystals 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 411-414
作者:  Jiang YN(姜燕妮);  Chen QS(陈启生);  Prasad V;  Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100190, Peoples R China
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Convection  Fluid Flow  Growth Models  Ammonothermal Growth  Gan  Single-crystals  Gallium Nitride  Heat-transfer  Fluid-flow  
氨热法生长氮化镓晶体的数值模拟 期刊论文
工程热物理学报, 2010, 卷号: 31, 期号: 8, 页码: 1392-1394
作者:  姜燕妮;  陈启生
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氨热法  氮化镓  开孔率  流场  平均流速