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Quantum Efficiency And Temperature Coefficients Of Gainp/Gaas Dual-Junction Solar Cell 期刊论文
Science in China Series E-Technological Sciences, 2009, 卷号: 52, 期号: 5, 页码: 1176-1180
作者:  Liu L(刘蕾);  Chen NF(陈诺夫);  Bai YM(白一鸣);  Cui M;  Zhang H;  Gao FB;  Yin ZG;  Zhang XW;  Liu L
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Quantum Efficiency  Temperature Coefficient  Solar Cell  
Growth of GaSb and GaInAsSb layers for thermophotovoltaic cells by liquid phase epitaxy 会议论文
Solid State Lighting and Solar Energy Technologies, Beijing, China, November 12, 2007 - November 14, 2007
作者:  Liu L;  Chen NF(陈诺夫);  Gao FB;  Yin ZQ;  Cui M;  Bai YM;  Zhang XW
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Gainassb  Gasb  Lpe  Segregation Coefficient  Thermophotovoltaic Cell  
聚光光伏系统 期刊论文
物理, 2007, 期号: 11, 页码: 862-868
作者:  陈诺夫;  白一鸣
Adobe PDF(833Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：625/186  |  提交时间：2010/05/03
聚光光伏系统  太阳电池  聚光器  跟踪系统  
色散效应对GaAs太阳电池双层减反射膜的影响 期刊论文
半导体学报, 2006, 期号: 4, 页码: 725-729
作者:  白一鸣;  陈诺夫;  戴瑞烜;  王鹏;  彭长涛
Adobe PDF(370Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：682/286  |  提交时间：2007/06/15
Gal(1-x)Mn(1-x)Sb Grown on GaSb with Mass-Analyzed Low-Energy Dual Ion Beam Deposition 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 272-275
作者:  Chen CL;  Chen NF(陈诺夫);  Liu LF;  Wu JL;  Liu ZK;  Yang SY;  Chen, CL (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1658-1661
作者:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  尹志岗;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
Adobe PDF(297Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：386/69  |  提交时间：2010/05/03
Gaas∶gd  X射线衍射  X光电子能谱  
低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜 期刊论文
稀有金属, 2004, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 558-562
作者:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
Adobe PDF(223Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：549/136  |  提交时间：2010/05/03
低能离子束  硅  铁  薄膜  
低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2004, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 258-261
作者:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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镓、钆、砷薄膜  低能离子束系统  砷化镓衬底  
离子束外延制备GaAs:Gd薄膜 期刊论文
功能材料, 2004, 期号: 3, 页码: 336-337
作者:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  尹志岗;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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Gaas∶gd薄膜  低能离子束外延  Gaas衬底  
Structural and magnetic properties of insulating Zn1-xCoxO thin films 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 5093-5096
作者:  Yin Z;  Chen NF(陈诺夫);  Chai CL;  Yang F;  Yin, Z (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(275Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：679/193  |  提交时间：2009/08/03
Doped Zno Films  Electric Properties  Semiconductors  Ferromagnetism  Spintronics  Design