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Modeling Ammonothermal Growth of GaN Single Crystals: The Role of Transport 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2006, 卷号: 296, 期号: 0, 页码: 150-158
作者:  Pendurti S;  Chen QS(陈启生);  Prasad V;  Pendurti, S (reprint author), Florida Int Univ, Dept Engn Mech, EAS 2710,10555 W Flagler St, Miami, FL 33199 USA.
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两层流体对流和定向凝固中对流与振动影响的研究 学位论文
博士论文，北京: 中国科学院研究生院, 2005
作者:  周炳红
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Modeling of ammonothermal growth of gallium nitride single crystals 期刊论文
Journal of Materials Science, 2005
作者:  Chen QS(陈启生);  Pendurti S;  Prasad V;  Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100080, Peoples R China.
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Modeling of Ammonothermal Growth of Gallium Nitride Single Crystals 会议论文
6th International Conference on Solvothermal Reactions, AUG 24-27, 2004 Mysore, INDIA
作者:  Chen QS(陈启生);  Pendurti S;  Prasad V
Adobe PDF(1099Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：655/191  |  提交时间：2007/12/18
Transport Phenomena in Ammonothermal Growth of Gallium Nitride 会议论文
14th International Conference on Crystal Growth (ICCG-14, ICVGE-12)
作者:  Chen QS(陈启生)
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Effects of Baffle Design on Fluid Flow and Heat Transfer in Ammonothermal Growth System of Nitrides 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 266, 期号: 1-3, 页码: 271-277
作者:  Chen QS(陈启生);  Pendurti S;  Prasad V
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Effects of Baffle Design on Fluid Flow and Heat Transfer in Ammonothermal Growth of Nitrides 会议论文
4th International Workshop on Modeling in Crystal Growth, NOV 04-07, 2003 Kyushu, JAPAN
作者:  Chen QS(陈启生);  Pendurti S;  Prasad V;  Chen QS(陈启生)
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(Ga,Mn,N) Compounds Growth with Mass-Analyzed Low Energy Dual Ion Beam Deposition 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 202-207
作者:  Zhang FQ(张富强);  Chen NF(陈诺夫);  Liu XL;  Liu ZK;  Yang SY;  Chai CL
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Modeling of Ammonothermal Growth of Nitrides 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2003, 卷号: 258, 页码: 181-187
作者:  Chen QS(陈启生);  Prasad V.;  Hu WR(胡文瑞);  Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100080, Peoples R China.
Adobe PDF(316Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：613/183  |  提交时间：2007/06/15