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中国科学院力学研究所机构知识库
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出处:Journal of Crystal Growth
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Improvement of the thermal design in the SiC PVT growth process
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2014, 卷号: 385, 页码: 34-37
作者:
Yan JY(颜君毅)
;
Chen QS(陈启生)
;
Jiang YN(姜燕妮)
;
Zhang H
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, Key Lab Micrograv, Beijing 100190, Peoples R China.
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提交时间:2014/02/13
Fluid Flows
Mass Transfer
Growth From Vapor
Semiconducting Silicon Compounds
Modeling Ammonothermal Growth of GaN Single Crystals: The Role of Transport
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2006, 卷号: 296, 期号: 0, 页码: 150-158
作者:
Pendurti S
;
Chen QS(陈启生)
;
Prasad V
;
Pendurti, S (reprint author), Florida Int Univ, Dept Engn Mech, EAS 2710,10555 W Flagler St, Miami, FL 33199 USA.
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提交时间:2007/06/15
Investigation of Mn-Implanted n-Si by Low-Energy Ion Beam Deposition
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 458-463
作者:
Liu LF
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Song SL
;
Yin ZG
;
Yang F
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Liu, LF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2007/06/15
Properties of high k gate dielectric gadolinium oxide deposited on Si(100) by dual ion beam deposition (DIBD)
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 1-2, 页码: 21-29
作者:
Zhou JP
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Song SL
;
Li YL
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Zhou, JP (reprint author), Tsing Hua Univ, Dept Mat Sci & Engn, State Key Lab New Ceram & Fine Proc, Beijing 100084, Peoples R China.
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浏览/下载:693/168
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提交时间:2009/08/03
Auger Electron Spectroscopy
Atomic Force Microscopy
Crystal Structures
X-ray Photoelectron Spectroscopy
Ion-beam Deposition
Oxides
4d Photoemission
High-resolution
Thin-films
Silicon
System
Gd2o3
Y2o3
(Ga, Gd, As) film growth on GaAs substrate by low-energy ion-beam deposit
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 451-455
作者:
Song SL
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Zhou JP
;
Li YL
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Song, SL (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2009/08/03
Auger Electron Spectroscopy
X-ray Diffraction
Ion-beam Epitaxy
Gadolinium Compounds
Metal-insulator-transition
Epitaxy
Magnetic Properties of Mn-Implanted n-Type Ge
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 106-110
作者:
Liu LF
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Chen CL
;
Li YL
;
Yin ZG
;
Yang F
;
Liu, LF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2007/06/15
Investigation of Mn-Implanted n-Type Ge
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 3-4, 页码: 466-470
作者:
Liu LF
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Yin ZG
;
Yang F
;
Zhou JP
;
Zhang FQ
;
Liu, LF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2007/06/15
The Concentration Intrinsic Instability for Crystal Growth in Diffusion Process
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 1, 页码: 102-107
作者:
Hu WR(胡文瑞)
;
Hu Q(胡清)
;
Hu, WR (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, Beijing 100080, Peoples R China.
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浏览/下载:545/200
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提交时间:2007/06/15
Influence of liquid bridge volume on the onset of oscillation in floating-zone convection III. Three-dimensional model
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 1999, 期号: 3, 页码: 239-246
作者:
Tang ZM(唐泽眉)
;
Hu WR(胡文瑞)
;
Hu, WR (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Zhong Guan Cun Rd, Beijing 100080, Peoples R China.
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浏览/下载:502/87
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提交时间:2007/06/15
Concentration distribution in solution crystal growth: effect of moving interface conditions
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 1999, 卷号: 203, 期号: 1-2, 页码: 227-233
作者:
Wang W(王伟)
;
Hu WR(胡文瑞)
;
Wang, W (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, Beijing 100080, Peoples R China.
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提交时间:2007/06/15