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Net-like Ferromagnetic Mnsb Film Deposited on Porous Silicon Substrates 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2007, 卷号: 299, 期号: 1, 页码: 142-145
作者:  Dai RX;  Chen NF(陈诺夫);  Zhang XW;  Dai, RX (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Investigation of Mn-Implanted n-Si by Low-Energy Ion Beam Deposition 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 458-463
作者:  Liu LF;  Chen NF(陈诺夫);  Song SL;  Yin ZG;  Yang F;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Liu, LF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gal(1-x)Mn(1-x)Sb Grown on GaSb with Mass-Analyzed Low-Energy Dual Ion Beam Deposition 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 272-275
作者:  Chen CL;  Chen NF(陈诺夫);  Liu LF;  Wu JL;  Liu ZK;  Yang SY;  Chen, CL (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜 期刊论文
功能材料, 2004, 期号: 4, 页码: 429-431
作者:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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低能离子束  硅  铁磁性  磁性半导体  
Structural and magnetic properties of insulating Zn1-xCoxO thin films 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 5093-5096
作者:  Yin Z;  Chen NF(陈诺夫);  Chai CL;  Yang F;  Yin, Z (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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Doped Zno Films  Electric Properties  Semiconductors  Ferromagnetism  Spintronics  Design  
Mn implanted GaAs by low energy ion beam deposition 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 31-35
作者:  Song SL;  Chen NF(陈诺夫);  Zhou JP;  Yin ZG;  Li YL;  Yang SY;  Liu ZK;  Song, SL (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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X-ray Diffraction  Ion Beam Deposit  Magnetic Materials  Semiconducting Gallium Arsenide  Curie-temperature  Semiconductors  Ferromagnetism  System  Mn)As  (Ga  Gan  
(Ga, Gd, As) film growth on GaAs substrate by low-energy ion-beam deposit 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 451-455
作者:  Song SL;  Chen NF(陈诺夫);  Zhou JP;  Li YL;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Song, SL (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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Auger Electron Spectroscopy  X-ray Diffraction  Ion-beam Epitaxy  Gadolinium Compounds  Metal-insulator-transition  Epitaxy  
Magnetic Properties of Mn-Implanted n-Type Ge 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 106-110
作者:  Liu LF;  Chen NF(陈诺夫);  Chen CL;  Li YL;  Yin ZG;  Yang F;  Liu, LF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Investigation of Mn-Implanted n-Type Ge 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 3-4, 页码: 466-470
作者:  Liu LF;  Chen NF(陈诺夫);  Yin ZG;  Yang F;  Zhou JP;  Zhang FQ;  Liu, LF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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(Ga,Mn,N) Compounds Growth with Mass-Analyzed Low Energy Dual Ion Beam Deposition 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 202-207
作者:  Zhang FQ(张富强);  Chen NF(陈诺夫);  Liu XL;  Liu ZK;  Yang SY;  Chai CL
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