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中国科学院力学研究所机构知识库
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出处:Journal of Crystal Growth
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Numerical simulation of ammonothermal growth processes of GaN crystals
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 411-414
作者:
Jiang YN(姜燕妮)
;
Chen QS(陈启生)
;
Prasad V
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100190, Peoples R China
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提交时间:2012/04/01
Convection
Fluid Flow
Growth Models
Ammonothermal Growth
Gan
Single-crystals
Gallium Nitride
Heat-transfer
Fluid-flow
Net-like Ferromagnetic Mnsb Film Deposited on Porous Silicon Substrates
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2007, 卷号: 299, 期号: 1, 页码: 142-145
作者:
Dai RX
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Zhang XW
;
Dai, RX (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2007/06/15
On the formation of well-aligned ZnO nanowall networks by catalyst-free thermal evaporation method
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2007, 卷号: 305, 期号: 1, 页码: 296-301
作者:
Yin ZG
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Dai RX(戴瑞烜)
;
Liu L
;
Zhang XW
;
Wang XH
;
Wu JL
;
Chai CL
;
Yin, ZG (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2009/08/03
Nanostructures
Physical Vapor Deposition Processes
Zno
Semiconducting Materials
Thin-films
Optical-properties
Vapor-deposition
Growth-mechanism
Nanowires
Nanosheets
Sapphire
Emission
InAs0.3Sb0.7 films grown on (100) GaSb substrates with a buffer layer by liquid-phase epitaxy
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2007, 卷号: 304, 期号: 2, 页码: 472-475
作者:
Gao FB
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Liu L
;
Zhang XW
;
Wu JL
;
Yin ZG
;
Gao, FB (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2009/08/03
Crystal Structure
Liquid-phase Epitaxy
Semiconducting Iii-v Materials
Molecular-beam Epitaxy
Transport-properties
Inas1-xsbx
Alloys
Inassb
Insb
Gap
Photoluminescence
Inasxsb1-x/gaas
Superlattices
Tailoring of dendritic microstructure in solidification processing by crucible vibration
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2005, 卷号: 275, 期号: 1-2, 页码: e1579-e1583
作者:
Nguyen-Thi H
;
Reinhart G
;
Zhou B
;
Billia B
;
Liu QS(刘秋生)
;
Lyubimova TP
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提交时间:2007/06/15
Magnetron Sputtering Growth of InAs0.3Sb0.7 Films on (100) GaAs Substrates: Strong Effect of Growth Conditions on Film Structure
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2005, 卷号: 285, 期号: 4, 页码: 459-465
作者:
Peng CT
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Wu JL
;
Yin ZG
;
Yu YD
;
Peng, CT (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2007/06/15
The magnetic and structure properties of room-temperature ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)N
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 262, 期号: 1-4, 页码: 287-289
作者:
Zhang FQ(张富强)
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Liu XL
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Chai CL
;
Zhang, FQ (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2009/08/03
X-ray Diffraction
Ion Beam depositIon
Gan/al2o3
Ferromagnetic Materials
Implanted Gan
Injection
Mn implanted GaAs by low energy ion beam deposition
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 31-35
作者:
Song SL
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Zhou JP
;
Yin ZG
;
Li YL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Song, SL (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2009/08/03
X-ray Diffraction
Ion Beam Deposit
Magnetic Materials
Semiconducting Gallium Arsenide
Curie-temperature
Semiconductors
Ferromagnetism
System
Mn)As
(Ga
Gan
Effects of Baffle Design on Fluid Flow and Heat Transfer in Ammonothermal Growth System of Nitrides
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 266, 期号: 1-3, 页码: 271-277
作者:
Chen QS(陈启生)
;
Pendurti S
;
Prasad V
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浏览/下载:637/133
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提交时间:2007/06/15
FexSi grown with mass-analyzed low-energy dual ion beam deposition
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 263, 期号: 1-4, 页码: 143-147
作者:
Liu LF
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Zhang FQ(张富强)
;
Chen CL
;
Li YL
;
Yang SY
;
Liu Z
;
Liu, LF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2009/08/03
Auger Electron Spectroscopy
X-ray Diffraction
Ion Beam depositIon
Semiconducting Silicon
Doped Si-mn
Spin-photonics
Thin-films
Silicon
Gas