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Study on copper protrusion of through-silicon via in a 3-D integrated circuit 期刊论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING A-STRUCTURAL MATERIALS PROPERTIES MICROSTRUCTURE AND PROCESSING, 2019, 卷号: 755, 页码: 66-74
作者:  Song M;  Wei ZQ(魏志全);  Wang BY;  Chen L;  Chen L;  Szpunar JA
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Through-silicon via  Cu protrusion  Annealing temperature  Electron backscatter diffraction  Finite element analysis