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Numerical Simulation of the Flow Field and Concentration Distribution in the Bulk Growth of Silicon Carbide Crystals 会议论文
3rd Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-3), OCT 16-19, 2005, Beijing, PEOPLES R CHINA
作者:  Lu J;  Zhang ZB(张自兵);  Chen QS(陈启生)
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Growth of Silicon Carbide Bulk Crystals by Physical Vapor Transport Method and Modeling Efforts in the Process Optimization 会议论文
3rd Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-3), OCT 16-19, 2005, Beijing, PEOPLES R CHINA
作者:  Chen QS(陈启生);  Lu J;  Zhang ZB(张自兵);  Wei GD;  Prasad V
Adobe PDF(228Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：882/231  |  提交时间：2007/12/18
碳化硅晶体生长过程中的温度场与应力场的数值模拟 学位论文
硕士论文，北京: 中国科学院研究生院, 2005
作者:  张自兵
Adobe PDF(1680Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：808/10  |  提交时间：2009/04/13