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中国科学院力学研究所机构知识库
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力学所知识产出(19... [3]
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收录类别:SCI
出处:Journal of Crystal Growth
专题:力学所知识产出(1956-2008)
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Properties of high k gate dielectric gadolinium oxide deposited on Si(100) by dual ion beam deposition (DIBD)
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 1-2, 页码: 21-29
作者:
Zhou JP
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Song SL
;
Li YL
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Zhou, JP (reprint author), Tsing Hua Univ, Dept Mat Sci & Engn, State Key Lab New Ceram & Fine Proc, Beijing 100084, Peoples R China.
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提交时间:2009/08/03
Auger Electron Spectroscopy
Atomic Force Microscopy
Crystal Structures
X-ray Photoelectron Spectroscopy
Ion-beam Deposition
Oxides
4d Photoemission
High-resolution
Thin-films
Silicon
System
Gd2o3
Y2o3
Mn implanted GaAs by low energy ion beam deposition
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 31-35
作者:
Song SL
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Zhou JP
;
Yin ZG
;
Li YL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Song, SL (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2009/08/03
X-ray Diffraction
Ion Beam Deposit
Magnetic Materials
Semiconducting Gallium Arsenide
Curie-temperature
Semiconductors
Ferromagnetism
System
Mn)As
(Ga
Gan
(Ga, Gd, As) film growth on GaAs substrate by low-energy ion-beam deposit
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 451-455
作者:
Song SL
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Zhou JP
;
Li YL
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Song, SL (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2009/08/03
Auger Electron Spectroscopy
X-ray Diffraction
Ion-beam Epitaxy
Gadolinium Compounds
Metal-insulator-transition
Epitaxy