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中国科学院力学研究所机构知识库
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期刊论文 [4]
发表日期
2009 [1]
2008 [1]
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SCI [4]
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作者:Zhang XW
第一作者
作者:Yin ZG
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Quantum Efficiency And Temperature Coefficients Of Gainp/Gaas Dual-Junction Solar Cell
期刊论文
Science in China Series E-Technological Sciences, 2009, 卷号: 52, 期号: 5, 页码: 1176-1180
作者:
Liu L(刘蕾)
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Bai YM(白一鸣)
;
Cui M
;
Zhang H
;
Gao FB
;
Yin ZG
;
Zhang XW
;
Liu L
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提交时间:2009/08/03
Quantum Efficiency
Temperature Coefficient
Solar Cell
Structural, Electrical, And Optical Properties Of Inasxsb1-X Epitaxial Films Grown By Liquid-Phase Epitaxy
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2008
作者:
Gao FB
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Zhang XW
;
Wang Y
;
Liu L(刘蕾)
;
Yin ZG
;
Wu JL
Adobe PDF(352Kb)
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浏览/下载:660/112
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提交时间:2009/08/03
Molecular-beam Epitaxy
On the formation of well-aligned ZnO nanowall networks by catalyst-free thermal evaporation method
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2007, 卷号: 305, 期号: 1, 页码: 296-301
作者:
Yin ZG
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Dai RX(戴瑞烜)
;
Liu L
;
Zhang XW
;
Wang XH
;
Wu JL
;
Chai CL
;
Yin, ZG (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(719Kb)
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浏览/下载:994/210
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提交时间:2009/08/03
Nanostructures
Physical Vapor Deposition Processes
Zno
Semiconducting Materials
Thin-films
Optical-properties
Vapor-deposition
Growth-mechanism
Nanowires
Nanosheets
Sapphire
Emission
InAs0.3Sb0.7 films grown on (100) GaSb substrates with a buffer layer by liquid-phase epitaxy
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2007, 卷号: 304, 期号: 2, 页码: 472-475
作者:
Gao FB
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Liu L
;
Zhang XW
;
Wu JL
;
Yin ZG
;
Gao, FB (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(337Kb)
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浏览/下载:926/265
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提交时间:2009/08/03
Crystal Structure
Liquid-phase Epitaxy
Semiconducting Iii-v Materials
Molecular-beam Epitaxy
Transport-properties
Inas1-xsbx
Alloys
Inassb
Insb
Gap
Photoluminescence
Inasxsb1-x/gaas
Superlattices