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Mn注入n型Ge单晶的特性研究 期刊论文
功能材料与器件学报, 2005, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 15-18
作者:  刘力锋;  陈诺夫;  尹志岗;  杨霏;  周剑平;  张富强
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离子注入  锗  铁磁性  稀磁半导体  
神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析 期刊论文
空间科学学报, 2004, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 455-461
作者:  张富强;  陈诺夫;  吴金良;  钟兴儒;  林兰英
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神舟3号飞船  微重力  Gamnsb  稀磁半导体  
低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜 期刊论文
功能材料, 2004, 期号: 4, 页码: 429-431
作者:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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低能离子束  硅  铁磁性  磁性半导体  
低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 967-971
作者:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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硅  铁  低能离子束  重掺杂  
低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜 期刊论文
稀有金属, 2004, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 558-562
作者:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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低能离子束  硅  铁  薄膜  
The magnetic and structure properties of room-temperature ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)N 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 262, 期号: 1-4, 页码: 287-289
作者:  Zhang FQ(张富强);  Chen NF(陈诺夫);  Liu XL;  Liu ZK;  Yang SY;  Chai CL;  Zhang, FQ (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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X-ray Diffraction  Ion Beam depositIon  Gan/al2o3  Ferromagnetic Materials  Implanted Gan  Injection  
FexSi grown with mass-analyzed low-energy dual ion beam deposition 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 263, 期号: 1-4, 页码: 143-147
作者:  Liu LF;  Chen NF(陈诺夫);  Zhang FQ(张富强);  Chen CL;  Li YL;  Yang SY;  Liu Z;  Liu, LF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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Auger Electron Spectroscopy  X-ray Diffraction  Ion Beam depositIon  Semiconducting Silicon  Doped Si-mn  Spin-photonics  Thin-films  Silicon  Gas  
铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 494-498
作者:  彭长涛;  陈诺夫;  张富强;  林兰英
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铁磁/半导体异质结  物理气相沉积  Mnsb  
(Ga,Mn,N) Compounds Growth with Mass-Analyzed Low Energy Dual Ion Beam Deposition 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 202-207
作者:  Zhang FQ(张富强);  Chen NF(陈诺夫);  Liu XL;  Liu ZK;  Yang SY;  Chai CL
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Room-temperature ferromagnetic semiconductor MnxGa1-xSb 期刊论文
Chinese Science Bulletin/中国科学通报(英文版), 2003, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: 516-518
作者:  Chen NF(陈诺夫);  Zhang FQ(张富强);  Yang JL;  Liu ZK;  Yang SY;  Chai CL;  Wang ZG;  Hu WR(胡文瑞);  Lin LY;  Chen, NF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(58Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：877/257  |  提交时间：2007/06/15