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Chemical etching of a GaSb crystal incorporated with Mn grown by the Bridgman method under microgravity conditions 期刊论文
半导体学报, 2009, 期号: 8, 页码: 47-51
作者:  Chen XF(陈晓锋);  Chen NF(陈诺夫);  Wu JL(吴金良);  Zhang XL(张秀兰);  Chai CL(柴春林);  Yu YD(俞育德)
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Chemical Etching  Etch Pit  Defect  Growth Striations  Convection