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The magnetic and structure properties of room-temperature ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)N 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 262, 期号: 1-4, 页码: 287-289
作者:  Zhang FQ(张富强);  Chen NF(陈诺夫);  Liu XL;  Liu ZK;  Yang SY;  Chai CL;  Zhang, FQ (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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X-ray Diffraction  Ion Beam depositIon  Gan/al2o3  Ferromagnetic Materials  Implanted Gan  Injection  
Investigation of Mn-Implanted n-Type Ge 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 3-4, 页码: 466-470
作者:  Liu LF;  Chen NF(陈诺夫);  Yin ZG;  Yang F;  Zhou JP;  Zhang FQ;  Liu, LF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(276Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：664/155  |  提交时间：2007/06/15