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一种籽晶温度梯度方法生长碳化硅单晶的装置 专利
发明专利. 一种籽晶温度梯度方法生长碳化硅单晶的装置, 专利号: ZL201210169399.7, 申请日期: 2012-05-28, 授权日期: 2015-11-04
发明人:  陈启生;  颜君毅;  姜燕妮
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