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中国科学院力学研究所机构知识库
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出处:Journal of Crystal Growth
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Improvement of the thermal design in the SiC PVT growth process
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2014, 卷号: 385, 页码: 34-37
作者:
Yan JY(颜君毅)
;
Chen QS(陈启生)
;
Jiang YN(姜燕妮)
;
Zhang H
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, Key Lab Micrograv, Beijing 100190, Peoples R China.
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提交时间:2014/02/13
Fluid Flows
Mass Transfer
Growth From Vapor
Semiconducting Silicon Compounds
Numerical simulation of ammonothermal growth processes of GaN crystals
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 411-414
作者:
Jiang YN(姜燕妮)
;
Chen QS(陈启生)
;
Prasad V
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100190, Peoples R China
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提交时间:2012/04/01
Convection
Fluid Flow
Growth Models
Ammonothermal Growth
Gan
Single-crystals
Gallium Nitride
Heat-transfer
Fluid-flow
Modeling Ammonothermal Growth of GaN Single Crystals: The Role of Transport
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2006, 卷号: 296, 期号: 0, 页码: 150-158
作者:
Pendurti S
;
Chen QS(陈启生)
;
Prasad V
;
Pendurti, S (reprint author), Florida Int Univ, Dept Engn Mech, EAS 2710,10555 W Flagler St, Miami, FL 33199 USA.
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提交时间:2007/06/15
Growth of Silicon Carbide Bulk Crystals by Physical Vapor Transport Method and Modeling Efforts in the Process Optimization
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2006, 卷号: 292, 期号: 2, 页码: 197-200
作者:
Chen QS(陈启生)
;
Lu J
;
Zhang ZB(张自兵)
;
Wei GD
;
Prasad V
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100080, Peoples R China.
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提交时间:2007/06/15
Growth Models
X-ray Diffraction
Growth From Vapor
Single Crystal Growth
Silicon Carbide
Numerical Simulation of the Flow Field and Concentration Distribution in the Bulk Growth of Silicon Carbide Crystals
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2006, 卷号: 292, 期号: 2, 页码: 519-522
作者:
Lu J
;
Zhang ZB(张自兵)
;
Chen QS(陈启生)
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100080, Peoples R China.
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提交时间:2007/06/15
Computer Simulation
Growth Model
Mass Transfer
Growth From Vapor
Seed Crystals
Semiconducting Silicon Compounds
Numerical Simulation of the Flow Field and Concentration Distribution in the Bulk Growth of Silicon Carbide Crystals
会议论文
3rd Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-3), OCT 16-19, 2005, Beijing, PEOPLES R CHINA
作者:
Lu J
;
Zhang ZB(张自兵)
;
Chen QS(陈启生)
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提交时间:2007/12/18
Growth of Silicon Carbide Bulk Crystals by Physical Vapor Transport Method and Modeling Efforts in the Process Optimization
会议论文
3rd Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-3), OCT 16-19, 2005, Beijing, PEOPLES R CHINA
作者:
Chen QS(陈启生)
;
Lu J
;
Zhang ZB(张自兵)
;
Wei GD
;
Prasad V
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提交时间:2007/12/18
Effects of Induction Heating on Temperature Distribution and Growth Rate in Large-Size SiC Growth System
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 266, 期号: 1-3, 页码: 320-326
作者:
Chen QS(陈启生)
;
Gao P(高鹏)
;
Hu WR(胡文瑞)
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100080, Peoples R China.
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浏览/下载:776/268
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提交时间:2007/06/15
Effects of Baffle Design on Fluid Flow and Heat Transfer in Ammonothermal Growth System of Nitrides
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 266, 期号: 1-3, 页码: 271-277
作者:
Chen QS(陈启生)
;
Pendurti S
;
Prasad V
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浏览/下载:637/133
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提交时间:2007/06/15
Modeling of Ammonothermal Growth of Nitrides
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2003, 卷号: 258, 页码: 181-187
作者:
Chen QS(陈启生)
;
Prasad V.
;
Hu WR(胡文瑞)
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100080, Peoples R China.
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提交时间:2007/06/15