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Simulations of dislocation density in silicon carbide crystals grown by the PVT-method 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 6
作者:  Chen QS(陈启生);  Zhu P(朱鹏);  He M(何蒙)
Adobe PDF(963Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：409/91  |  提交时间：2020/03/11
Computer simulation  Defects  Heat transfer  Stresses  Growth from vapor  Semiconducting silicon compounds