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Molecular dynamics simulation of helium ion implantation into silicon and its migration 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2019, 卷号: 456, 页码: 53-59
作者:  Liu L;  Xu ZW;  Li RR;  Zhu R;  Xu J;  Zhao JL;  Wang C(王超);  Nordlund K;  Fu X;  Fang FZ
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Molecular dynamics simulation  Ion implantation  Helium  Si  Annealing  
Study on copper protrusion of through-silicon via in a 3-D integrated circuit 期刊论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING A-STRUCTURAL MATERIALS PROPERTIES MICROSTRUCTURE AND PROCESSING, 2019, 卷号: 755, 页码: 66-74
作者:  Song M;  Wei ZQ(魏志全);  Wang BY;  Chen L;  Chen L;  Szpunar JA
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Through-silicon via  Cu protrusion  Annealing temperature  Electron backscatter diffraction  Finite element analysis