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中国科学院力学研究所机构知识库
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出处:Journal of Crystal Growth
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Improvement of the thermal design in the SiC PVT growth process
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2014, 卷号: 385, 页码: 34-37
作者:
Yan JY(颜君毅)
;
Chen QS(陈启生)
;
Jiang YN(姜燕妮)
;
Zhang H
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, Key Lab Micrograv, Beijing 100190, Peoples R China.
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提交时间:2014/02/13
Fluid Flows
Mass Transfer
Growth From Vapor
Semiconducting Silicon Compounds
Growth of Silicon Carbide Bulk Crystals by Physical Vapor Transport Method and Modeling Efforts in the Process Optimization
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2006, 卷号: 292, 期号: 2, 页码: 197-200
作者:
Chen QS(陈启生)
;
Lu J
;
Zhang ZB(张自兵)
;
Wei GD
;
Prasad V
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100080, Peoples R China.
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提交时间:2007/06/15
Growth Models
X-ray Diffraction
Growth From Vapor
Single Crystal Growth
Silicon Carbide
Numerical Simulation of the Flow Field and Concentration Distribution in the Bulk Growth of Silicon Carbide Crystals
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2006, 卷号: 292, 期号: 2, 页码: 519-522
作者:
Lu J
;
Zhang ZB(张自兵)
;
Chen QS(陈启生)
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100080, Peoples R China.
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提交时间:2007/06/15
Computer Simulation
Growth Model
Mass Transfer
Growth From Vapor
Seed Crystals
Semiconducting Silicon Compounds
Properties of high k gate dielectric gadolinium oxide deposited on Si(100) by dual ion beam deposition (DIBD)
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 1-2, 页码: 21-29
作者:
Zhou JP
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Song SL
;
Li YL
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Zhou, JP (reprint author), Tsing Hua Univ, Dept Mat Sci & Engn, State Key Lab New Ceram & Fine Proc, Beijing 100084, Peoples R China.
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浏览/下载:693/168
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提交时间:2009/08/03
Auger Electron Spectroscopy
Atomic Force Microscopy
Crystal Structures
X-ray Photoelectron Spectroscopy
Ion-beam Deposition
Oxides
4d Photoemission
High-resolution
Thin-films
Silicon
System
Gd2o3
Y2o3
FexSi grown with mass-analyzed low-energy dual ion beam deposition
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 263, 期号: 1-4, 页码: 143-147
作者:
Liu LF
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Zhang FQ(张富强)
;
Chen CL
;
Li YL
;
Yang SY
;
Liu Z
;
Liu, LF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2009/08/03
Auger Electron Spectroscopy
X-ray Diffraction
Ion Beam depositIon
Semiconducting Silicon
Doped Si-mn
Spin-photonics
Thin-films
Silicon
Gas