中文版 | English

在结果中检索

IMECH-IR
（本次检索基于用户作品认领结果）

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
InAs0.3Sb0.7 films grown on (100) GaSb substrates with a buffer layer by liquid-phase epitaxy 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2007, 卷号: 304, 期号: 2, 页码: 472-475
作者:  Gao FB;  Chen NF(陈诺夫);  Liu L;  Zhang XW;  Wu JL;  Yin ZG;  Gao, FB (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：915/262  |  提交时间：2009/08/03
Crystal Structure  Liquid-phase Epitaxy  Semiconducting Iii-v Materials  Molecular-beam Epitaxy  Transport-properties  Inas1-xsbx  Alloys  Inassb  Insb  Gap  Photoluminescence  Inasxsb1-x/gaas  Superlattices  
Carrier concentration profiling in magnetic GaMnSb/GaSb investigated by electrochemistry capacitance-voltage profiler 期刊论文
Chinese Science Bulletin/中国科学通报(英文版), 2002, 卷号: 47, 期号: 21, 页码: 1780-1782
作者:  Zhang XL;  Zhang FQ(张富强);  Song SL;  Chen NF(陈诺夫);  Wang ZG;  Lin LY;  Zhang, XL (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(72Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：699/206  |  提交时间：2009/08/03
Electrochemistry C-v  Magnetic Semiconductor  Gamnsb  Iii-v Semiconductors  Magnetotransport Properties  Transport-properties  Magnetoresistance  (In  Heterostructures  Mn)As/(Ga  Al)Sb  Gaas  (Ga  Mn)As