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低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1658-1661
作者:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  尹志岗;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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Gaas∶gd  X射线衍射  X光电子能谱  
低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜 期刊论文
功能材料, 2004, 期号: 4, 页码: 429-431
作者:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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低能离子束  硅  铁磁性  磁性半导体  
低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 967-971
作者:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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硅  铁  低能离子束  重掺杂  
离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 972-975
作者:  李艳丽;  陈诺夫;  周剑平;  宋书林;  杨少延;  刘志凯
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离子束淀积  X射线衍射  Gdsi  
低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜 期刊论文
稀有金属, 2004, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 558-562
作者:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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低能离子束  硅  铁  薄膜  
低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2004, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 258-261
作者:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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镓、钆、砷薄膜  低能离子束系统  砷化镓衬底  
离子束外延制备GaAs:Gd薄膜 期刊论文
功能材料, 2004, 期号: 3, 页码: 336-337
作者:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  尹志岗;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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Gaas∶gd薄膜  低能离子束外延  Gaas衬底  
室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb 期刊论文
科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 24, 页码: 1863-1864
作者:  陈诺夫;  张富强;  刘志凯;  杨少延;  柴春林;  王占国;  林兰英;  杨君玲;  胡文瑞;  林兰英
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Mn_xga_(1-x)Sb  铁磁性  稀磁半导体