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中国科学院力学研究所机构知识库
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Simulations of dislocation density in silicon carbide crystals grown by the PVT-method
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 6
作者:
Chen QS(陈启生)
;
Zhu P(朱鹏)
;
He M(何蒙)
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提交时间:2020/03/11
Computer simulation
Defects
Heat transfer
Stresses
Growth from vapor
Semiconducting silicon compounds
Improvement of the thermal design in the SiC PVT growth process
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2014, 卷号: 385, 页码: 34-37
作者:
Yan JY(颜君毅)
;
Chen QS(陈启生)
;
Jiang YN(姜燕妮)
;
Zhang H
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, Key Lab Micrograv, Beijing 100190, Peoples R China.
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提交时间:2014/02/13
Fluid Flows
Mass Transfer
Growth From Vapor
Semiconducting Silicon Compounds
Improvement of the thermal design in the SiC PVT growth process
会议论文
7th International Workshop on Modeling in Crystal Growth, Taipei,TW, China, OCT 28-31, 2012
作者:
Yan JY(颜君毅)
;
Chen QS(陈启生)
;
Jiang YN(姜燕妮)
;
Zhang H
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, Key Lab Micrograv, Beijing 100190, Peoples R China.
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提交时间:2014/02/24
Fluid Flows
Mass Transfer
Growth From Vapor
Semiconducting Silicon Compounds
Application of Flow-Kinetics Model To the Pvt Growth of Sic Crystals
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 卷号: 303, 期号: 1, 页码: 357-361
作者:
Chen QS(陈启生)
;
Yan JY(颜君毅)
;
Prasad V
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100080, Peoples R China.
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提交时间:2016/01/11
Fluid Flows
Growth Models
Growth From Vapor
Single-crystal Growth
Semiconducting Silicon Compounds
Growth of Silicon Carbide Bulk Crystals by Physical Vapor Transport Method and Modeling Efforts in the Process Optimization
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2006, 卷号: 292, 期号: 2, 页码: 197-200
作者:
Chen QS(陈启生)
;
Lu J
;
Zhang ZB(张自兵)
;
Wei GD
;
Prasad V
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100080, Peoples R China.
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提交时间:2007/06/15
Growth Models
X-ray Diffraction
Growth From Vapor
Single Crystal Growth
Silicon Carbide
Numerical Simulation of the Flow Field and Concentration Distribution in the Bulk Growth of Silicon Carbide Crystals
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2006, 卷号: 292, 期号: 2, 页码: 519-522
作者:
Lu J
;
Zhang ZB(张自兵)
;
Chen QS(陈启生)
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100080, Peoples R China.
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提交时间:2007/06/15
Computer Simulation
Growth Model
Mass Transfer
Growth From Vapor
Seed Crystals
Semiconducting Silicon Compounds