在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用

IMECH-IR > 力学所知识产出(1956-2008)

	在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用
	邢启江; 徐万劲; 武作兵
发表期刊	半导体学报
	2001
卷号	22 期号:7 页码:846
ISSN	0253-4177
摘要	从理论上计算了厚度为110nm的W_(0.95)Ni_(0.05)金属薄膜应变条在InGaAsP/InP双异质结构中形成的应力场分布，及由应力场分布引起的折射率变化。在W_(0.95)Ni_(0.05)金属薄膜应变条半导体中0.2-2μm深度范围内，由应变引起条形波导轴中央的介电常数ε相应增加2.3×10~(-1)-2.2×10~(-2)(2μm应变条宽)和1.2×10~(-1)-4.1×10~(-2)(4μm应变条宽)。同时，测量了由W_(0.95)Ni_(0.05)金属薄膜应变条所形成的InGaAs/InP双异质结光弹效应波导结构导波的近场光模分布。从理论计算和实验结果两方面证实了InGaAsP/InP双异质结光弹效应波导结构对侧向光具有良好的限制作用。
关键词	Wni/半导体接触光弹效应 Ingaasp/inp双异质结构平面型波导器件
学科领域	力学
收录类别	CSCD
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:533034
引用统计
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/17182
专题	力学所知识产出(1956-2008)
推荐引用方式 GB/T 7714	邢启江,徐万劲,武作兵. 在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用[J]. 半导体学报,2001,22,7,:846.
APA	邢启江,徐万劲,&武作兵.(2001).在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用.半导体学报,22(7),846.
MLA	邢启江,et al."在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用".半导体学报 22.7(2001):846.

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