| 高能冲击磁控溅射等离子体发生与成膜控制平台 |
| 李光
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| 规格/型号 | HiPIMS
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| 2014-11-27
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| 仪器功能简述 | 高能冲击磁控溅射（HiPIMS）等离子体发生与成膜控制平台，将国际上新出现HiPIMS与等离子体基离子注入沉积方法相结合，采用前者获得淹没性的高离化率金属等离子体，通过溅射脉冲和高压脉冲的波形匹配实现参与成膜粒子能量可控，形成一种新颖的成膜过程控制技术。利用HiPIMS技术，金属Ti的离化率可达80%。粒子能量超过100eV，通过调整高、低磁控电压脉冲的脉宽比例，HiPIMS耦合电源还可实现对离化率的有效调控。 该平台可开展多元及复杂体系涂层表面改性的应用研究。1）利用高能冲击磁控源，可以实现众多金属（含碳）元素的离子注入，可以在高精尖零件的摩擦磨损、表面防腐蚀等领域开展研究。2）针对目前我国严重依赖进口高端镀膜刀具，可开展TiN、TiAlSiN和TiCN等高质量薄膜的表面改性工业化应用研究。3）可在等离子复合表面改性方法、材料的复合表面改性等领域开展大量的研究，针对表面改性膜层服役性能问题，开展膜基界面领域的研究工作。 |
| 联系方式 | 010-82544266
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| 预约网址 | 查看原文
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| 文献类型 | 仪器设备
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| 条目标识符 | http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/79636
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| 专题 | 先进制造工艺力学实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李光. 高能冲击磁控溅射等离子体发生与成膜控制平台(HiPIMS), 2014.
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