| 4H-SiC贯穿型位错及其密度分布的表征方法优化 | |
章宇; 陈诺夫 ; 张芳; 余雯静; 胡文瑞; 陈吉堃
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| 发表期刊 | 半导体技术
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| 2023-08-17 | |
| 卷号 | 48期号:11页码:977-984 |
| ISSN | 1003-353X |
| 摘要 | 目前用来揭示SiC的贯穿型位错缺陷的表征方法主要是湿法碱腐蚀，但现阶段利用KOH腐蚀4H-SiC晶片的腐蚀参数各不相同，腐蚀结果也有待优化。研究了熔融KOH对4H-SiC晶片的腐蚀形貌，利用金相显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观测腐蚀晶片，发现4H-SiC晶片在500℃熔融KOH中腐蚀20 min效果为最优。在此基础上研究分析了半绝缘4H-SiC晶片的贯穿型位错的密度和分布。结果表明，半绝缘型SiC晶片中贯穿型位错密度的分布具有一定的规律性，呈现出从晶片中心区域向晶片边缘处增长的特性，而这可能源于在物理气相传输法下SiC单晶生长不同区域产生的热应力不同。 |
| 关键词 | SiC 湿法腐蚀 贯穿型位错 位错密度 位错缺陷分布 |
| 语种 | 中文 |
| 项目资助者 | 国家自然科学基金资助项目(52073090) ; 国家重点研发计划项目(2021YFA0718901) |
| 力学所作者排名 | 3+ |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/93654 |
| 专题 | 微重力重点实验室 |
| 作者单位 | 1.华北电力大学新能源学院 2.胡文瑞院士工作站云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 3.北京工商大学轻工科学技术学院 4.中国科学院力学研究所 5.北京科技大学材料科学与工程学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 章宇,陈诺夫,张芳,等. 4H-SiC贯穿型位错及其密度分布的表征方法优化[J]. 半导体技术,2023,48,11,:977-984. |
| APA | 章宇,陈诺夫,张芳,余雯静,胡文瑞,&陈吉堃.(2023).4H-SiC贯穿型位错及其密度分布的表征方法优化.半导体技术,48(11),977-984. |
| MLA | 章宇,et al."4H-SiC贯穿型位错及其密度分布的表征方法优化".半导体技术 48.11(2023):977-984. |
| 条目包含的文件 | 下载所有文件 | |||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JpC2023F135.pdf（1791KB） | 期刊论文 | 出版稿 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 下载 | |
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