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中国科学院力学研究所机构知识库
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非线性力学国家重点实... [1]
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Chang ZH [1]
Chen SL [1]
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Dou ZP [1]
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文献类型
期刊论文 [1]
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2018 [1]
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出处:JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY
作者:Chen SL
第一作者
资助机构:Beijing Municipal Science and Technology Planning Project [Z161100002116020, Z161100002116032]
资助机构:Beijing Natural Science Foundation [4182063]
资助机构:National Key R&D Program of China [2018YFB0406703]
资助机构:National Natural Science Foundation of China [51432002, 61474109, 51290272, 51502007, 11474247, 51672007, Y761020000]
作者:陈善良
作者:刘正峰
专题:非线性力学国家重点实验室
第一作者的第一单位
第一作者单位
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Fast Growth of Strain-Free AIN on Graphene-Buffered Sapphire
期刊论文
JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2018, 卷号: 140, 期号: 38, 页码: 11935-11941
作者:
Qi Y
;
Wang YY
;
Pang ZQ(庞振乾)
;
Dou ZP
;
Wei TB
;
Gao P
;
Zhang SS
;
Xu XZ
;
Chang ZH
;
Deng B
;
Chen SL
;
Chen ZL
;
Ci HN
;
Wang RY
;
Zhao FZ
;
Yan JC
;
Yi XY
;
Liu KH
;
Peng HL
;
Liu ZQ
;
Tong LM
;
Zhang J
;
Wei YJ(魏宇杰)
;
Li JM
;
Liu ZF
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提交时间:2018/10/30