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Simulations of dislocation density in silicon carbide crystals grown by the PVT-method 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 6
作者:  Chen QS(陈启生);  Zhu P(朱鹏);  He M(何蒙)
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Computer simulation  Defects  Heat transfer  Stresses  Growth from vapor  Semiconducting silicon compounds  
Role of characteristic modes in the dynamics of wave pattern in the Czochralski oxide crystal growth 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2012, 卷号: 340, 期号: 1, 页码: 190-196
作者:  Jing CJ(敬成君);  Jia CX;  Li K(李凯);  Arima H;  Jing, CJ;  Sichuan Univ, Coll Architecture & Environm, Chengdu 610064, Peoples R China.
Adobe PDF(1123Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：792/201  |  提交时间：2013/01/18
Characteristic Mode  Fluid Flows  Proper Orthogonal Decomposition  Wave Pattern  Czochralski Method  Oxides  Proper Orthogonal Decomposition  Melt  Flow  Convection  Simulation  Buoyancy  Force  Grids  Field