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Structural, Electrical, And Optical Properties Of Inasxsb1-X Epitaxial Films Grown By Liquid-Phase Epitaxy 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2008
作者:  Gao FB;  Chen NF(陈诺夫);  Zhang XW;  Wang Y;  Liu L(刘蕾);  Yin ZG;  Wu JL
Adobe PDF(352Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：654/110  |  提交时间：2009/08/03
Molecular-beam Epitaxy  
InAs0.3Sb0.7 films grown on (100) GaSb substrates with a buffer layer by liquid-phase epitaxy 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2007, 卷号: 304, 期号: 2, 页码: 472-475
作者:  Gao FB;  Chen NF(陈诺夫);  Liu L;  Zhang XW;  Wu JL;  Yin ZG;  Gao, FB (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：918/263  |  提交时间：2009/08/03
Crystal Structure  Liquid-phase Epitaxy  Semiconducting Iii-v Materials  Molecular-beam Epitaxy  Transport-properties  Inas1-xsbx  Alloys  Inassb  Insb  Gap  Photoluminescence  Inasxsb1-x/gaas  Superlattices  
低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1658-1661
作者:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  尹志岗;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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Gaas∶gd  X射线衍射  X光电子能谱  
低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 967-971
作者:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：544/119  |  提交时间：2010/05/03
硅  铁  低能离子束  重掺杂  
离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 972-975
作者:  李艳丽;  陈诺夫;  周剑平;  宋书林;  杨少延;  刘志凯
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离子束淀积  X射线衍射  Gdsi