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Simulations of dislocation density in silicon carbide crystals grown by the PVT-method 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 6
作者:  Chen QS(陈启生);  Zhu P(朱鹏);  He M(何蒙)
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Computer simulation  Defects  Heat transfer  Stresses  Growth from vapor  Semiconducting silicon compounds  
Instabilities of thermocapillary flows between counter-rotating disks under microgravity conditions 期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF HEAT AND MASS TRANSFER, 2018, 卷号: 117, 页码: 183-187
作者:  Chen QS(陈启生);  He M(何蒙);  Zhu P(朱鹏);  Hu KX(胡开鑫)
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