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作者:陈诺夫
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Quantum Efficiency And Temperature Coefficients Of Gainp/Gaas Dual-Junction Solar Cell
期刊论文
Science in China Series E-Technological Sciences, 2009, 卷号: 52, 期号: 5, 页码: 1176-1180
作者:
Liu L(刘蕾)
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Bai YM(白一鸣)
;
Cui M
;
Zhang H
;
Gao FB
;
Yin ZG
;
Zhang XW
;
Liu L
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提交时间:2009/08/03
Quantum Efficiency
Temperature Coefficient
Solar Cell
Structural, Electrical, And Optical Properties Of Inasxsb1-X Epitaxial Films Grown By Liquid-Phase Epitaxy
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2008
作者:
Gao FB
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Zhang XW
;
Wang Y
;
Liu L(刘蕾)
;
Yin ZG
;
Wu JL
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浏览/下载:660/112
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提交时间:2009/08/03
Molecular-beam Epitaxy
On the formation of well-aligned ZnO nanowall networks by catalyst-free thermal evaporation method
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2007, 卷号: 305, 期号: 1, 页码: 296-301
作者:
Yin ZG
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Dai RX(戴瑞烜)
;
Liu L
;
Zhang XW
;
Wang XH
;
Wu JL
;
Chai CL
;
Yin, ZG (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2009/08/03
Nanostructures
Physical Vapor Deposition Processes
Zno
Semiconducting Materials
Thin-films
Optical-properties
Vapor-deposition
Growth-mechanism
Nanowires
Nanosheets
Sapphire
Emission
InAs0.3Sb0.7 films grown on (100) GaSb substrates with a buffer layer by liquid-phase epitaxy
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2007, 卷号: 304, 期号: 2, 页码: 472-475
作者:
Gao FB
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Liu L
;
Zhang XW
;
Wu JL
;
Yin ZG
;
Gao, FB (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2009/08/03
Crystal Structure
Liquid-phase Epitaxy
Semiconducting Iii-v Materials
Molecular-beam Epitaxy
Transport-properties
Inas1-xsbx
Alloys
Inassb
Insb
Gap
Photoluminescence
Inasxsb1-x/gaas
Superlattices
Fabrication and Properties of Sb-Doped ZnO thin Films Grown by Radio Frequency (RF) Magnetron Sputtering
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 1, 页码: 56-60
作者:
Wang P
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Yin ZG
;
Yang F
;
Peng CT
;
Wang, P (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2007/06/15
p-type Zn1-xMgxO Films with Sb Doping by Radio-Frequency Magnetron Sputtering
期刊论文
Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 20, 页码: Art.No.202102
作者:
Wang P
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Yin ZG
;
Dai RX
;
Bai YM
;
Wang, P (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2007/06/15
Magnetron Sputtering Growth of InAs0.3Sb0.7 Films on (100) GaAs Substrates: Strong Effect of Growth Conditions on Film Structure
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2005, 卷号: 285, 期号: 4, 页码: 459-465
作者:
Peng CT
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Wu JL
;
Yin ZG
;
Yu YD
;
Peng, CT (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2007/06/15
Investigation of Mn-Implanted n-Si by Low-Energy Ion Beam Deposition
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 458-463
作者:
Liu LF
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Song SL
;
Yin ZG
;
Yang F
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Liu, LF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2007/06/15
Mn implanted GaAs by low energy ion beam deposition
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 31-35
作者:
Song SL
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Zhou JP
;
Yin ZG
;
Li YL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Song, SL (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2009/08/03
X-ray Diffraction
Ion Beam Deposit
Magnetic Materials
Semiconducting Gallium Arsenide
Curie-temperature
Semiconductors
Ferromagnetism
System
Mn)As
(Ga
Gan
Magnetic Properties of Mn-Implanted n-Type Ge
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 106-110
作者:
Liu LF
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Chen CL
;
Li YL
;
Yin ZG
;
Yang F
;
Liu, LF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2007/06/15