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出处:Journal of Crystal Growth
语种:英语
资助机构:The work was supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant nos.10972226 and 11272320.
文献类型:期刊论文
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Improvement of the thermal design in the SiC PVT growth process
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2014, 卷号: 385, 页码: 34-37
作者:
Yan JY(颜君毅)
;
Chen QS(陈启生)
;
Jiang YN(姜燕妮)
;
Zhang H
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, Key Lab Micrograv, Beijing 100190, Peoples R China.
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提交时间:2014/02/13
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