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Mn注入n型Ge单晶的特性研究 期刊论文
功能材料与器件学报, 2005, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 15-18
作者:  刘力锋;  陈诺夫;  尹志岗;  杨霏;  周剑平;  张富强
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离子注入  锗  铁磁性  稀磁半导体  
Investigation of Mn-Implanted n-Si by Low-Energy Ion Beam Deposition 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 458-463
作者:  Liu LF;  Chen NF(陈诺夫);  Song SL;  Yin ZG;  Yang F;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Liu, LF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gal(1-x)Mn(1-x)Sb Grown on GaSb with Mass-Analyzed Low-Energy Dual Ion Beam Deposition 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 272-275
作者:  Chen CL;  Chen NF(陈诺夫);  Liu LF;  Wu JL;  Liu ZK;  Yang SY;  Chen, CL (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(184Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：790/213  |  提交时间：2007/06/15
低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1658-1661
作者:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  尹志岗;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
Adobe PDF(297Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：386/69  |  提交时间：2010/05/03
Gaas∶gd  X射线衍射  X光电子能谱  
低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 967-971
作者:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：544/119  |  提交时间：2010/05/03
硅  铁  低能离子束  重掺杂  
低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2004, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 258-261
作者:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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镓、钆、砷薄膜  低能离子束系统  砷化镓衬底  
Properties of high k gate dielectric gadolinium oxide deposited on Si(100) by dual ion beam deposition (DIBD) 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 1-2, 页码: 21-29
作者:  Zhou JP;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Song SL;  Li YL;  Chen NF(陈诺夫);  Zhou, JP (reprint author), Tsing Hua Univ, Dept Mat Sci & Engn, State Key Lab New Ceram & Fine Proc, Beijing 100084, Peoples R China.
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Auger Electron Spectroscopy  Atomic Force Microscopy  Crystal Structures  X-ray Photoelectron Spectroscopy  Ion-beam Deposition  Oxides  4d Photoemission  High-resolution  Thin-films  Silicon  System  Gd2o3  Y2o3  
Structural and magnetic properties of insulating Zn1-xCoxO thin films 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 5093-5096
作者:  Yin Z;  Chen NF(陈诺夫);  Chai CL;  Yang F;  Yin, Z (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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Doped Zno Films  Electric Properties  Semiconductors  Ferromagnetism  Spintronics  Design  
The magnetic and structure properties of room-temperature ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)N 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 262, 期号: 1-4, 页码: 287-289
作者:  Zhang FQ(张富强);  Chen NF(陈诺夫);  Liu XL;  Liu ZK;  Yang SY;  Chai CL;  Zhang, FQ (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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X-ray Diffraction  Ion Beam depositIon  Gan/al2o3  Ferromagnetic Materials  Implanted Gan  Injection  
Ga1-xMnxSb grown on GaSb substrate by liquid phase epitaxy 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 50-53
作者:  Chen CL;  Chen NF(陈诺夫);  Liu LF;  Li YL;  Wu JL;  Chen, CL (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(117Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：675/158  |  提交时间：2009/08/03
X-ray Diffraction  Liquid Phase Epitaxy  Semiconducting Ternary Compounds