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Modeling on ammonothermal growth of GaN semiconductor crystals 期刊论文
PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MATERIALS, 2012, 卷号: 58, 期号: 2-3, 页码: 61-73
作者:  Chen QS(陈启生);  Yan JY(颜君毅);  Jiang YN(姜燕妮);  Li W(李炜);  Chen, QS;  Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100190, Peoples R China.
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Gan Crystal  Baffle Opening  Ammonothermal Growth  Mass Transfer  Gallium Nitride  Supercritical Ammonia  Single-crystals  Transport  Seed  
Modeling of droplet traffic in interconnected microfluidic ladder devices 期刊论文
ELECTROPHORESIS, 2012, 卷号: 33, 期号: 3, 页码: 411-418
作者:  Song K(宋奎);  Zhang L(张丽);  Hu GQ(胡国庆);  Hu, GQ;  Chinese Acad Sci, Inst Mech, LNM, 15 Bei Si Huan Xi Lu, Beijing 100190, Peoples R China.
Adobe PDF(412Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：832/281  |  提交时间：2013/01/18
Droplet  Microfluidics  Modeling  Synchronization  Volume Of Fluid  Microchannels  Junction  Bubbles  Volume  Dynamics