中频对靶反应磁控溅射Al_2O_3、TiO_2、ZrO_2功能薄膜的特性研究

IMECH-IR > 力学所知识产出(1956-2008)

	中频对靶反应磁控溅射Al_2O_3、TiO_2、ZrO_2功能薄膜的特性研究
	贾军伟; 潘文霞; 黄河激
发表期刊	新技术新工艺
	2008-08-25
期号	8 页码:101-104+4
摘要	利用中频对靶磁控溅射技术,分别制备出厚度低于5μm、表面光滑的TiO2、ZrO2、Al2O33种功能薄膜。研究了不同工艺条件下薄膜的成膜速率和表面形貌,用四探针法测量了材料的薄膜电阻,并表征了膜层材料在大气压热等离子射流急速加热条件下的抗热冲击特性。
关键词	功能薄膜磁控溅射薄膜电阻
语种	中文
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/41506
专题	力学所知识产出(1956-2008)
通讯作者	贾军伟
推荐引用方式 GB/T 7714	贾军伟,潘文霞,黄河激. 中频对靶反应磁控溅射Al_2O_3、TiO_2、ZrO_2功能薄膜的特性研究[J]. 新技术新工艺,2008,8,:101-104+4.
APA	贾军伟,潘文霞,&黄河激.(2008).中频对靶反应磁控溅射Al_2O_3、TiO_2、ZrO_2功能薄膜的特性研究.新技术新工艺(8),101-104+4.
MLA	贾军伟,et al."中频对靶反应磁控溅射Al_2O_3、TiO_2、ZrO_2功能薄膜的特性研究".新技术新工艺 .8(2008):101-104+4.