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中国科学院力学研究所机构知识库
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作者:reprint author
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Fracture toughness and adhesion of transparent Al:ZnO films deposited on glass substrates
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS ENGINEERING AND PERFORMANCE, 2013, 卷号: 22, 期号: 10, 页码: 3161-3167
作者:
Pang XL
;
Ma HJ
;
Gao KW
;
Yang HS
;
Wu XL(武晓雷)
;
Volinsky A
;
Pang, XL (reprint author), Univ Sci & Technol Beijing, Dept Mat Phys & Chem, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:668/283
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提交时间:2014/01/17
Adhesion
Azo
Fracture Toughness
Transparent Films
Water
Modeling of ammonothermal growth processes of GaN crystal in large-size pressure systems
期刊论文
Research on Chemical Intermediates, 2011, 卷号: 37, 期号: 2-5, 页码: 467-477
作者:
Chen QS(陈启生)
;
Jiang YN(姜燕妮)
;
Yan JY(颜君毅)
;
Li W(李炜)
;
Prasad V
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100190, Peoples R China
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提交时间:2012/04/01
Gan
Ammonothermal Growth
Baffle Opening
Fluid Flow
Thermal Fields
Gallium Nitride
Numerical simulation of ammonothermal growth processes of GaN crystals
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 411-414
作者:
Jiang YN(姜燕妮)
;
Chen QS(陈启生)
;
Prasad V
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100190, Peoples R China
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提交时间:2012/04/01
Convection
Fluid Flow
Growth Models
Ammonothermal Growth
Gan
Single-crystals
Gallium Nitride
Heat-transfer
Fluid-flow
Superelastic And Spring Properties Of Si3N4 Microcoils
期刊论文
Advanced Materials, 2008, 页码: 1738-+
作者:
Cao CB
;
Du HL
;
Xu YJ
;
Zhu HS
;
Zhang TH(张泰华)
;
Yang R(杨荣)
;
Cao, CB (reprint author), Beijing Inst Technol, Res Ctr Mat Sci, Beijing 100081, Peoples R China.
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提交时间:2009/08/03
Chemical-vapor-deposition
Silicon-nitride
Carbon Nanotubes
Alpha-si3n4
Growth
Nanohelices
Nanosprings
Nanowires
Mechanics
Nanocoils
InAs0.3Sb0.7 films grown on (100) GaSb substrates with a buffer layer by liquid-phase epitaxy
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2007, 卷号: 304, 期号: 2, 页码: 472-475
作者:
Gao FB
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Liu L
;
Zhang XW
;
Wu JL
;
Yin ZG
;
Gao, FB (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2009/08/03
Crystal Structure
Liquid-phase Epitaxy
Semiconducting Iii-v Materials
Molecular-beam Epitaxy
Transport-properties
Inas1-xsbx
Alloys
Inassb
Insb
Gap
Photoluminescence
Inasxsb1-x/gaas
Superlattices
Liquid-Phase-Epitaxy-Grown Inasxsb1-X/Gaas for Room-Temperature 8-12 Mu M Infrared Detectors
期刊论文
Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 68, 期号: 24, 页码: 242108
作者:
Peng CT
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Gao FB
;
Peng, CT (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:674/193
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提交时间:2007/06/15
Ga1-xMnxSb grown on GaSb substrate by liquid phase epitaxy
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 50-53
作者:
Chen CL
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Liu LF
;
Li YL
;
Wu JL
;
Chen, CL (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2009/08/03
X-ray Diffraction
Liquid Phase Epitaxy
Semiconducting Ternary Compounds
Liquid phase epitaxy growth of AlxGayIn1-x-yPzAs1-zGaAs with direct band gap up to 2.0 eV
期刊论文
Applied Physics A-Materials Science & Processing, 1998, 卷号: 66, 期号: 5, 页码: 565-567
作者:
Xu ZL(徐自亮)
;
Xu WJ
;
Li L
;
Xu, ZL (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, Natl Micrograv Lab China, Beijing 100080, Peoples R China.
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提交时间:2007/06/15