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Simulations of dislocation density in silicon carbide crystals grown by the PVT-method 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 6
作者:  Chen QS(陈启生);  Zhu P(朱鹏);  He M(何蒙)
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Computer simulation  Defects  Heat transfer  Stresses  Growth from vapor  Semiconducting silicon compounds  
Improvement of the thermal design in the SiC PVT growth process 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2014, 卷号: 385, 页码: 34-37
作者:  Yan JY(颜君毅);  Chen QS(陈启生);  Jiang YN(姜燕妮);  Zhang H;  Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, Key Lab Micrograv, Beijing 100190, Peoples R China.
Adobe PDF(1817Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：603/205  |  提交时间：2014/02/13
Fluid Flows  Mass Transfer  Growth From Vapor  Semiconducting Silicon Compounds